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SI4421DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 850µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4420 SILICON 特殊なホットIC 2541
SI4420-D1-FT Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 1746
SI4420-D1-FT Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4420-D1-FTR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2781
SI4420-D1-FTR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4420-F1-FTR SILICON 特殊なホットIC 2605
SI4420-F1-FTR IC SILICON 特殊なホットIC 657
SI44200Y-T1-E3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 720
SI4420BDY VIS 特殊なホットIC 2580
SI4420BDY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 62459

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SI4421DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4421DY-T1-GE3 参考価格. SI4421DY-T1-GE3 パラメーター, SI4421DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4421DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4421DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4421DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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