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SI4435DDY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 9.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4430-A0-FM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 4666
SI4430-A0-FM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4430-A0-FM IC Energy Micro (Silicon Labs) 特殊なホットIC 5099
SI4430-A0-FMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4430-B1-FM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2556
SI4430-B1-FM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4430-B1-FMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 3210
SI4430-B1-FMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4430-B1-FMR IC SILICON 特殊なホットIC 1041
SI4430ADY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 3000

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SI4435DDY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4435DDY-T1-GE3 参考価格. SI4435DDY-T1-GE3 パラメーター, SI4435DDY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4435DDY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4435DDY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4435DDY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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