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SI4532ADY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 4.9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4532ADY-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Series TrenchFET®
Power - Max 1.13W, 1.2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A, 3A
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SI4532ADY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4532 SI 特殊なホットIC 2526
SI4532A VISHAY 特殊なホットIC 1941
SI4532ADY VISHAY 特殊なホットIC 2427
SI4532ADY-T1 SILICON 特殊なホットIC 9404
SI4532ADY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 94262
SI4532ADY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2436
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI4532ADY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 17781
SI4532ADY-T1-E3-S VISHAY 特殊なホットIC 8000
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2412

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SI4532ADY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4532ADY-T1-GE3 参考価格. SI4532ADY-T1-GE3 パラメーター, SI4532ADY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4532ADY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4532ADY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4532ADY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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