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SI4909DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 20V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4900DY SI 特殊なホットIC 72
SI4900DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 1068
SI4900DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 161678
SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI4900DY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 60310
SI4900DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2797
SI4900DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2760
SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
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SI4901-GL SI 特殊なホットIC 1099

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SI4909DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4909DY-T1-GE3 参考価格. SI4909DY-T1-GE3 パラメーター, SI4909DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4909DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4909DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4909DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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