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SI4966DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4966
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI4966DY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4963 SILICONIX 特殊なホットIC 15
SI4963AN SI 特殊なホットIC 2776
SI4963B/DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 41900
SI4963BDY VIS 特殊なホットIC 832
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SI4966DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4966DY-T1-GE3 参考価格. SI4966DY-T1-GE3 パラメーター, SI4966DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4966DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4966DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4966DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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