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SI6562DQ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 1W
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI6562DQ-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
Base Part Number SI6562
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SI6562DQ-T1-GE3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI6562DQ-T1-GE3

その他には以下が含まれます：   "SI656"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI6562CD Vishay Precision Group 特殊なホットIC 40
SI6562CDQ-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 3600
SI6562CDQ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3038
SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3191
SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI6562DQ VISHAY 特殊なホットIC 3000
SI6562DQ-T1 VISHAY 特殊なホットIC 2688
SI6562DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 882
SI6562DQ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 1757
SI6562DQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SI6562DQ-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI6562DQ-T1-GE3 参考価格. SI6562DQ-T1-GE3 パラメーター, SI6562DQ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI6562DQ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI6562DQ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI6562DQ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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