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SI7115DN-T1-E3 技術仕様

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7115DN-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description P-Channel 150V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7110DN VISHAY 特殊なホットIC 2691
SI7110DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 118691
SI7110DN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13625
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7110DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1064
SI7110DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 81491
SI7110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 54633
SI7110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7110DN-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2814
SI7110DN-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6491

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SI7115DN-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7115DN-T1-E3 参考価格. SI7115DN-T1-E3 パラメーター, SI7115DN-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7115DN-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7115DN-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7115DN-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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