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SI7216DN-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 20.8W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 20V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7216DN-T1-E3TR SI7216DNT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Part Number SI7216
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7210-B-00-IV Energy Micro (Silicon Labs) 磁気センサー - リニア、コンパス（IC） 2583
SI7210-B-00-IV Silicon Labs 磁気リニアセンサーIC
SI7210-B-00-IVR Energy Micro (Silicon Labs) 磁気センサー - リニア、コンパス（IC） 2503
SI7210-B-00-IVR Silicon Labs 磁気リニアセンサーIC
SI7210-B-01-IV Energy Micro (Silicon Labs) 磁気センサー - リニア、コンパス（IC） 2739
SI7210-B-01-IV Silicon Labs 磁気リニアセンサーIC
SI7210-B-01-IVR Energy Micro (Silicon Labs) 磁気センサー - リニア、コンパス（IC） 2533
SI7210-B-01-IVR Silicon Labs 磁気リニアセンサーIC
SI7210-B-02-IV Energy Micro (Silicon Labs) 磁気センサー - リニア、コンパス（IC） 2728
SI7210-B-02-IV Silicon Labs 磁気リニアセンサーIC

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SI7216DN-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7216DN-T1-E3 参考価格. SI7216DN-T1-E3 パラメーター, SI7216DN-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7216DN-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7216DN-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7216DN-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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