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SI7439DP-T1-E3 技術仕様

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 5.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7439DP-T1-E3TR SI7439DPT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description P-Channel 150V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7430DP SI 特殊なホットIC 700
SI7430DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13644
SI7430DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13644
SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7430DP-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1737
SI7430DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 31386
SI7430DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 821291
SI7430DP-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 4966
SI7430DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 791
SI7431DP Vishay Precision Group 特殊なホットIC 798216

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SI7439DP-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7439DP-T1-E3 参考価格. SI7439DP-T1-E3 パラメーター, SI7439DP-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7439DP-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7439DP-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7439DP-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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