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SI7464DP-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7464DP-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7460DP SI 特殊なホットIC 2883
SI7460DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 14239
SI7460DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2323
SI7460DP-T1-E3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 5531
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SI7460DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4125
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7461DP VISHAY 特殊なホットIC 8414
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SI7461DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2772

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SI7464DP-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7464DP-T1-E3 参考価格. SI7464DP-T1-E3 パラメーター, SI7464DP-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7464DP-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7464DP-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7464DP-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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