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SIA433EDJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 22634
SIA430DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 22634
SiA430DJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 17920
SIA430DJT-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 3600
SIA430DJT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2753
SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 3411
SIA431DJ VISHAY 特殊なホットIC 4634
SIA431DJ-T1 VISHAY 特殊なホットIC 6000
SIA431DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37068
SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA431DJ-T1-GE3

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SIA433EDJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIA433EDJ-T1-GE3 参考価格. SIA433EDJ-T1-GE3 パラメーター, SIA433EDJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA433EDJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA433EDJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA433EDJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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