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SIHG22N65E-GE3
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SIHG22N65E-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2415pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
SIHG22N65E-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIHG22N65E-GE3
-
データシート
SIHG22N65E-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIHG2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHG2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIHG20N50C | VISHYA | 特殊なホットIC | 3285 |
SIHG20N50C-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3036 |
SIHG20N50C-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 111891 |
SIHG20N50C-E3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHG20N50C-E3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 4403 |
SIHG20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2784 |
SIHG20N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2613 |
SIHG20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHG20N50G | IR | 特殊なホットIC | 17 |
SIHG21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2600 |
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SIHG22N65E-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHG22N65E-GE3 参考価格. SIHG22N65E-GE3 パラメーター, SIHG22N65E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHG22N65E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHG22N65E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHG22N65E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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