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SIHP25N50E-GE3
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SIHP25N50E-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
SIHP25N50E-GE3 書類
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その他には以下が含まれます: "SIHP2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHP2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIHP20N50E | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 25 |
SIHP20N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 29 |
SIHP20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2734 |
SIHP20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHP21N60EF | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 7470 |
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10115 |
SIHP21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3033 |
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2765 |
SIHP21N65EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2756 |
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SIHP25N50E-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHP25N50E-GE3 参考価格. SIHP25N50E-GE3 パラメーター, SIHP25N50E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHP25N50E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHP25N50E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHP25N50E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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