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SIRA14DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIRA10BDP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 21938
SIRA10DP VISHAY 特殊なホットIC 6470
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5438
SIRA10DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 58381
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIRA10DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3480
SIRA12BDP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2721
SiRA12DP Vishay Precision Group 特殊なホットIC 50467
SIRA12DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 177861
SIRA12DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 94173

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SIRA14DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIRA14DP-T1-GE3 参考価格. SIRA14DP-T1-GE3 パラメーター, SIRA14DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIRA14DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIRA14DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIRA14DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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