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SIS406DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIS406DN-T1-GE3TR SIS406DNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS406DN-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIS402DN VISHAY 特殊なホットIC 50045
SiS402DN IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5416
SIS402DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 3594
SIS402DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 40197
SIS402DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1270
SIS402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIS402DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 816
SIS402DN-T1-GE3 QFN8 VISHAY 特殊なホットIC 2544
SIS406DN SI 特殊なホットIC 54972
SIS406DN MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 493

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SIS406DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIS406DN-T1-GE3 参考価格. SIS406DN-T1-GE3 パラメーター, SIS406DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS406DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS406DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS406DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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