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SQJ403BEEP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 30A SO8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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SQJ403BEEP-T1_GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SQJ40"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJ401EP-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 522
SQJ401EP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 915
SQJ401EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2595
SQJ402EP Vishay Precision Group 特殊なホットIC 265
SQJ402EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 643
SQJ402EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3075
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2466
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQJ403BEEP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2788
SQJ403BEEP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2562

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SQJ403BEEP-T1_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQJ403BEEP-T1_GE3 参考価格. SQJ403BEEP-T1_GE3 パラメーター, SQJ403BEEP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ403BEEP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ403BEEP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ403BEEP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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