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SUD35N10-26P-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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SUD35N10-26P-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SUD35N05-26L VISHAY 特殊なホットIC 4254
SUD35N05-26L MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3435
SUD35N05-26L-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10400
SUD35N05-26L-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5658
SUD35N05-26L-E3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 5438
SUD35N10 VIS 特殊なホットIC 762
SUD35N10-26P Vishay 特殊なホットIC 588
SUD35N10-26P MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1425
SUD35N10-26P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3593
SUD35N10-26P-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 97520

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SUD35N10-26P-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SUD35N10-26P-GE3 参考価格. SUD35N10-26P-GE3 パラメーター, SUD35N10-26P-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SUD35N10-26P-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SUD35N10-26P-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SUD35N10-26P-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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