UML6N-TP 技術仕様

DIODE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 配列 BJT トランジスタ
Manufacturer Micro Commercial Co
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 1
Power - Max 120mW
Transistor Type NPN + Diode (Isolated)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transition Frequency 320MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15W
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 5
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Frequency - Transition 320MHz
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
UML6N ROHM 特殊なホットIC 3434
UML6N TR ROHM 特殊なホットIC 48459
UML6NTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2492
UML6NTR ROHM Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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