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UNR411F00A 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 300mW
Package / Case NS-B1
Frequency - Transition 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package NS-B1
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
UNR411100A Panasonic トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2665
UNR411100A Panasonic Electronic Components 事前バイアスBJTトランジスタ
UNR411200A Panasonic トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2620
UNR411200A Panasonic Electronic Components 事前バイアスBJTトランジスタ
UNR411300A Panasonic トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2754
UNR411300A Panasonic Electronic Components 事前バイアスBJTトランジスタ
UNR411400A Panasonic トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2590
UNR411400A Panasonic Electronic Components 事前バイアスBJTトランジスタ
UNR41160RA Panasonic トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2786
UNR41160RA Panasonic Electronic Components 事前バイアスBJTトランジスタ

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UNR411F00A ブランドメーカー: Panasonic, Bonchip ストック, UNR411F00A 参考価格. UNR411F00A パラメーター, UNR411F00A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 UNR411F00A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 UNR411F00A ピン図と回路図と機能の使用方法、 UNR411F00A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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