BC517,116 技術仕様

TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 220MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
BC517 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5390
BC517 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 99914
BC517 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
BC517,112 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2682
BC517-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2729
BC517-D74Z ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
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BC517/P KEC 特殊なホットIC 1369
BC517G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5484
BC517G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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