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PBRN113ES,126 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 700mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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その他には以下が含まれます：   "PBRN1"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PBRN113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2756
PBRN113EK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ES,126 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ET NXP 特殊なホットIC 1282
PBRN113ET,215 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2618
PBRN113ET,215 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ZK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2527
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ZS,126 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2795
PBRN113ZS,126 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ

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PBRN113ES,126 ブランドメーカー: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip ストック, PBRN113ES,126 参考価格. PBRN113ES,126 パラメーター, PBRN113ES,126 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PBRN113ES,126 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PBRN113ES,126 ピン図と回路図と機能の使用方法、 PBRN113ES,126 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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