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PDTC115ES,126
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PDTC115ES,126 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 100k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100k |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
PDTC115ES,126 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください PDTC115ES,126
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データシート
PDTC115ES,126.pdf
その他には以下が含まれます: "PDTC1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'PDTC1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
PDTC114E | NXP Semiconductors / Freescale | 特殊なIC | 10219 |
PDTC114EE | SOD523 | 特殊なホットIC | 5811 |
PDTC114EE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2580 |
PDTC114EE,115 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTC114EE/DG | NXP | 特殊なホットIC | 3550 |
PDTC114EE115 | NXP | 特殊なホットIC | 2526 |
PDTC114EEF | PHILIPS | 特殊なホットIC | 4000 |
PDTC114EETL | PHI | 特殊なホットIC | 1217 |
PDTC114EK | NXP | 特殊なホットIC | 11871 |
PDTC114EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2636 |
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