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PDTD113ZS,126
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PDTD113ZS,126 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
PDTD113ZS,126 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください PDTD113ZS,126
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データシート
PDTD113ZS,126.pdf
その他には以下が含まれます: "PDTD1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'PDTD1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
PDTD113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2794 |
PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTD113EQAZ | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2794 |
PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTD113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2741 |
PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTD113ET | NXP | 特殊なホットIC | 6000 |
PDTD113ET ,215 IC | NXP Semiconductors / Freescale | 特殊なホットIC | 596 |
PDTD113ET,215 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2705 |
PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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PDTD113ZS,126 ブランドメーカー: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip ストック, PDTD113ZS,126 参考価格. PDTD113ZS,126 パラメーター, PDTD113ZS,126 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PDTD113ZS,126 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PDTD113ZS,126 ピン図と回路図と機能の使用方法、 PDTD113ZS,126 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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