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PDTA123TMB,315
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PDTA123TMB,315 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 3-XFDFN |
Frequency - Transition | 180MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | 3-DFN1006B (0.6x1) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PDTA123TMB,315 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください PDTA123TMB,315
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データシート
その他には以下が含まれます: "PDTA1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'PDTA1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
PDTA113EE | NXP | 特殊なホットIC | 438268 |
PDTA113EE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 3500 |
PDTA113EE,115 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTA113EK | NXP | 特殊なホットIC | 12265 |
PDTA113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2544 |
PDTA113EK,115 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTA113EM,315 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2745 |
PDTA113EM,315 | Nexperia USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTA113EMB,315 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2587 |
PDTA113EMB,315 | Nexperia USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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