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PDTA143EQAZ 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package DFN1010D-3
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 280mW
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Frequency - Transition 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
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その他には以下が含まれます：   "PDTA1"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PDTA113EE NXP 特殊なホットIC 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTA113EK NXP 特殊なホットIC 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTA113EM,315 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTA113EMB,315 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ

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PDTA143EQAZ ブランドメーカー: Nexperia, Bonchip ストック, PDTA143EQAZ 参考価格. PDTA143EQAZ パラメーター, PDTA143EQAZ データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PDTA143EQAZ プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PDTA143EQAZ ピン図と回路図と機能の使用方法、 PDTA143EQAZ エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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