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PDTB113EUF 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PDTB113EK NXP 特殊なホットIC 27413
PDTB113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2754
PDTB113EK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTB113EQAZ Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2702
PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTB113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2592
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTB113ET PHILIPS 特殊なホットIC 12443
PDTB113ET,215 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2712
PDTB113ET,215 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ

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PDTB113EUF ブランドメーカー: Nexperia, Bonchip ストック, PDTB113EUF 参考価格. PDTB113EUF パラメーター, PDTB113EUF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PDTB113EUF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PDTB113EUF ピン図と回路図と機能の使用方法、 PDTB113EUF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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