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PMDXB950UPE 技術仕様

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 265mW
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-DFN (1.1x1)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PMDXB1200UPEZ Nexperia トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2511
PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc. MOSFETトランジスタアレイ
PMDXB550UNE NXP Semiconductors / Freescale 特殊なホットIC 183165
PMDXB550UNEZ Nexperia トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 183188
PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFETトランジスタアレイ
PMDXB600UNE Nexperia トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 20360
PMDXB600UNE.R7G NXP Semiconductors / Freescale 特殊なホットIC 1301
PMDXB600UNELZ Nexperia トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2681
PMDXB600UNELZ Nexperia USA Inc. MOSFETトランジスタアレイ
PMDXB600UNEZ Nexperia トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 460

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PMDXB950UPE ブランドメーカー: Nexperia, Bonchip ストック, PMDXB950UPE 参考価格. PMDXB950UPE パラメーター, PMDXB950UPE データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PMDXB950UPE プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PMDXB950UPE ピン図と回路図と機能の使用方法、 PMDXB950UPE エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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