2KBP10M 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, KBPM
Supplier Device Package KBPM
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 1kV
Technology Standard
Base Part Number 2KBP10
Number of Elements 1
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 4.7W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3.14A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 2A
Average Rectified Current 2A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1kV
Max Forward Surge Current (Ifsm) 60A
Height 12.7mm
Width 5.08mm
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Weight 1.518g
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Capacitance 25pF
Max Power Dissipation 4.7W
Current Rating 2A
Max Output Current 2A
Element Configuration Single
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 1000V
Output Current 2A
Forward Current 2A
Max Surge Current 60A
Forward Voltage 1.1V
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 60A
Voltage - Peak Reverse (Max) 1kV
Length 15.2mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
2KBP10-BP Micro Commercial Components (MCC) ダイオード - ブリッジ整流器 2671
2KBP10-BP Micro Commercial Co ブリッジ整流器
2KBP10M AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 0
2KBP10M Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 4500
2KBP10M-28E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 0
2KBP10M-28E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
2KBP10M-E4/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2684
2KBP10M-E4/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 0
2KBP10M-E4/45 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
2KBP10M-E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 3631

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