2N5400G 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number 2N5400
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Power - Max 625mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Frequency - Transition 400MHz
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Terminal Position BOTTOM
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type PNP
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transition Frequency 100MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.35W
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2N5400 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 62869
2N5400 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 1204
2N5400 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N5400G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2692
2N5400G Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
2N5400RA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2604
2N5400RA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2615
2N5400RA Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
2N5400RLRP AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2627
2N5400RLRP ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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