3N249 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~165°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 165°C
Capacitance 15pF
Technology Standard
Base Part Number 3N249
Element Configuration Single
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 400V
Output Current 1.5A
Forward Current 1.5A
Max Surge Current 50A
Forward Voltage 1.3V
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 50A
Voltage - Peak Reverse (Max) 400V
Length 15.24mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, KBPM
Supplier Device Package KBPM
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 400V
Current Rating 1.5A
Number of Elements 1
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 3.5W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
Average Rectified Current 1.5A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 400V
Max Forward Surge Current (Ifsm) 50A
Height 12.7mm
Width 5.08mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
3N249 AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2608
3N249 Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2572
3N249 Rochester Electronics, LLC ブリッジ整流器
3N249-E4/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2518
3N249-E4/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 0
3N249-E4/45 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
3N249-E4/51 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2691
3N249-E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2519
3N249-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
3N249-E4/72 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 0

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