BUV22 技術仕様

BUV22 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-204AE
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tray
Series SWITCHMODE™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 250W
Terminal Form PIN/PEG
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code O-MBFM-P2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 8MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 40A
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 250V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 250V
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 40A
Pin Count 2
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2.5A, 20A
Transition Frequency 8MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 300V
hFE Min 20
Lead Free Contains Lead
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
BUV22 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2730
BUV22G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2775
BUV22G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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