ECH8501-TL-H 技術仕様

Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5A 8-Pin ECH T/R

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 配列 BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Pin Count 8
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 1.6W
Gain Bandwidth Product 280MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 110mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Collector Emitter Saturation Voltage -100mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.6W
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Transition Frequency 280MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -30V
hFE Min 200
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
ECH8501-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2530
ECH8502-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 6000
ECH8502-TL-H ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
ECH8503-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2606
ECH8503-TL-H ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ

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ECH8501-TL-H ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, ECH8501-TL-H 参考価格. ECH8501-TL-H パラメーター, ECH8501-TL-H データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 ECH8501-TL-H プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 ECH8501-TL-H ピン図と回路図と機能の使用方法、 ECH8501-TL-H エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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