ECH8659-TL-W 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1.3W
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-XDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.3W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain-source On Resistance-Max 0.024Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 8
Additional Feature ESD PROTECTED
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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ECH8601 Sanyo Semiconductor 特殊なホットIC 6702
ECH8601-TL Sanyo Semiconductor 特殊なホットIC 30405
ECH8601-TL-E Sanyo Semiconductor 特殊なホットIC 11768
ECH8601-V-TL-E Sanyo Semiconductor 特殊なホットIC 10619
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