FCA36N60NF 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 312W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 27 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34.9A Tc
Rise Time 17ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 92 ns
Threshold Voltage 3.7V
Drain-source On Resistance-Max 0.095Ohm
Nominal Vgs 3.7 V
Length 16.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series FRFET®, SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 312W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4245pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 34.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 20.1mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FCA36N60NF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23228
FCA36N60NF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1460
FCA36N60NF MOSFETIGBTIC Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 510

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