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FCH170N60 技術仕様

MOSFET SuperFET2 600V, 170mohm

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 227W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2860pF @ 380V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 3.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 66A
Height 20.82mm
Width 4.82mm
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 21 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Tc
Rise Time 12ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
JEDEC-95 Code TO-247AB
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 525 mJ
Length 15.87mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FCH170N60 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 543
FCH170N60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3247
FCH170N60 IC Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 253

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