FCP099N60E 技術仕様

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin TO-220 Tube

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A Tc
Rise Time 23ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 37A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 111A
Avalanche Energy Rating (Eas) 809 mJ
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 357W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99m Ω @ 18.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3465pF @ 380V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 92 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.099Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FCP099N60E Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2507
FCP099N60E AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3110
FCP099N65S3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
FCP099N65S3 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ

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