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FCU5N60TU 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Weight 343.08mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 4.6A
Power Dissipation-Max 54W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950m Ω @ 2.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 54W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A Tc
Rise Time 40ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Threshold Voltage 5V
Drain-source On Resistance-Max 0.95Ohm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FCU5N60 FAIRCHILD 特殊なホットIC 434
FCU5N60TU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 33588
FCU5N60TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 33588

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