FDB039N06 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 30 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8235pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 24 ns
Continuous Drain Current (ID) 174A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 231W Tc
Power Dissipation 231W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 40ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
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FDB0300N1007L Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2631
FDB0300N1007L AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2757
FDB0300N1007L ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB031N08 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34906
FDB031N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34906
FDB031N08 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB031N08 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 1249
FDB035AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 40766
FDB035AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8854
FDB035AN06A0 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ

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