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FDB12N50TM
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FDB12N50TM 技術仕様
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 11.5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB12N50TM
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 650MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 165W |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A Tc |
Rise Time | 60ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 46A |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | UniFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 165W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650m Ω @ 6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 35 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 11.5A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 456 mJ |
Length | 10.67mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDB12N50TM 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください FDB12N50TM
-
データシート
その他には以下が含まれます: "FDB12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FDB12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FDB120N10 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 38738 |
FDB120N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 38738 |
FDB120N10 | ON Semiconductor | 単一MOSFETトランジスタ | |
FDB120N10 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 3659 |
FDB12N50 | FAIRCHILD | 特殊なホットIC | 1694 |
FDB12N50F | FAIRCHILD | 特殊なホットIC | 10448 |
FDB12N50FTM | FSC | 特殊なホットIC | 553 |
FDB12N50FTM-WS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2552 |
FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | 単一MOSFETトランジスタ | |
FDB12N50FTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32363 |
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FDB12N50TM ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDB12N50TM 参考価格. FDB12N50TM パラメーター, FDB12N50TM データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDB12N50TM プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDB12N50TM ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDB12N50TM エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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