FDB8441-F085 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A Ta 80A Tc
Rise Time 24ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0025Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 947 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 17.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 28A
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Radiation Hardening No
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FDB8441 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23861
FDB8441 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23861
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