FDL100N50F 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Weight 6.756g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2500W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 63 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 186ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 202 ns
Threshold Voltage 3V
Drain-source On Resistance-Max 0.055Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Length 20mm
REACH SVHC No SVHC
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UniFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5kW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 105 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Avalanche Energy Rating (Eas) 5000 mJ
Height 29mm
Width 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDL100N50F AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 35452
FDL100N50F Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1406

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