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FDZ661PZ 技術仕様

MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 4-XFBGA, WLCSP
Weight 67mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form BALL
Power Dissipation-Max 1.3W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 4.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A Ta
Rise Time 6.3ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 33 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.6A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 150μm
Width 800μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.3W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Feedback Cap-Max (Crss) 70 pF
Length 800μm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FDZ661PZ Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8088
FDZ661PZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3224
FDZ663P Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2713
FDZ663P AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
FDZ663P ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ

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