FGP10N60UNDF 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 139W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Turn-Off Delay Time 55 ns
Max Collector Current 20A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.3V
Test Condition 400V, 10A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 89.3 ns
Gate Charge 37nC
Td (on/off) @ 25°C 8ns/52.2ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 24.8ns
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Number of Elements 1
Power Dissipation 139W
Turn On Delay Time 8.1 ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 37.7 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 15.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
Switching Energy 150μJ (on), 50μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 8.5V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FGP10B-E3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2541
FGP10B-E3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2611
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