FJBE2150DTU 技術仕様

FJBE2150DTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series ESBC™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 110W
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Power - Max 110W
Gain Bandwidth Product 5MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 800V
Transition Frequency 5MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 1.5kV
hFE Min 20
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.88g
Operating Temperature -55°C~125°C TJ
Published 2015
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 800V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 330mA, 1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Height 4.83mm
Width 9.85mm
RoHS Status RoHS Compliant
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FJBE2150DTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2579

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