FJN3301RTA 技術仕様

FJN3301RTA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 100mA
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 20
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FJN3301 FAIRCH 特殊なホットIC 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2647
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2184
FJN3302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 46437

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