FJN4310RBU 技術仕様

Trans Digital BJT PNP 40V 100mA 3-Pin TO-92 Bulk

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 300mW
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current -100mA
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -40V
Current Rating -100mA
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FJN4301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2704
FJN4301RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2518
FJN4301RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJN4301RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2679
FJN4301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2715
FJN4301RTA ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJN4302RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2580
FJN4302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2562
FJN4302RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJN4302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 18000

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