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FJN4312RBU
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FJN4312RBU 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Part Status | Obsolete |
Power - Max | 300mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Packaging | Bulk |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Frequency - Transition | 200MHz |
FJN4312RBU 書類
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-
データシート
その他には以下が含まれます: "FJN43" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FJN43'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FJN4301RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2704 |
FJN4301RBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2518 |
FJN4301RBU | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN4301RTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2679 |
FJN4301RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2715 |
FJN4301RTA | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN4302RBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2580 |
FJN4302RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2562 |
FJN4302RBU | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN4302RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 18000 |
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FJN4312RBU ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJN4312RBU 参考価格. FJN4312RBU パラメーター, FJN4312RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJN4312RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJN4312RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJN4312RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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