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FJNS3208RBU 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-92S
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
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FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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FJNS3208RBU ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJNS3208RBU 参考価格. FJNS3208RBU パラメーター, FJNS3208RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJNS3208RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJNS3208RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJNS3208RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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