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FJNS3215RBU 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Polarity NPN
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 33
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 300mW
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
Lead Free Lead Free
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FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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FJNS3215RBU ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJNS3215RBU 参考価格. FJNS3215RBU パラメーター, FJNS3215RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJNS3215RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJNS3215RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJNS3215RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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