FJV4103RMTF 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -50V
Current Rating -100mA
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) -50V
hFE Min 56
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 200mW
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Frequency - Transition 200MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -10V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
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FJV4101RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3306
FJV4101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 18260
FJV4101RMTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJV4102RLIMTF FAI 特殊なホットIC 6484
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FJV4102RMTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJV4103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 357619
FJV4103RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 357619
FJV4103RMTF Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ

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